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碳化硅粉如何水分级
碳化硅粉如何水分级
2024-01-02T01:01:25+00:00
碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解
2023年10月27日 这些公司合成 SiC 粉体的方法主要有三种: 种是固相法，固相法中最具代表性的是 Acheson 法和自蔓延高温合成法; 第二种是液相法，液相法中最具代表性的 5 天之前 将电子级碳化硅粉应用于电池中通常涉及以下几个步骤： 1 制备电极：将电子级碳化硅粉与其他电极材料（如正极材料或负极材料）混合，并加入适量的导电剂和粘合剂，以形成均匀的电极浆料。 2 涂覆电 电子级碳化硅粉如何应用于电池中 知乎
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
2021年12月24日 高压化是SiC的重要特性之一，原来为了实现高压应用，只能将单个硅器件串联或使用级联方式拼凑起来承受高电压；由于SiC 2020年3月31日 什么是碳化硅粉末 询价 订购 碳化硅粉末已成为人们广为利用的非氧化物陶瓷材料，因其具有很大的硬度、耐热性、耐氧化性、耐腐蚀性，它已被确认为一种磨料、耐火材料、电热元件、黑色有色金属 什么是碳化硅粉末—碳化硅粉末标准及应用 Silicon
金刚粉百度百科
Diamond powder 别 名 碳化硅 材 料 石英砂、石油焦 制 作 通过电阻炉高温冶炼而成 特 点 热扩散系数 和高刚性 目录 1 产品简介 2 制备方 3 制作工艺 产品简介 播报 编辑 碳化硅 2021年11月10日 1、Si C粉体：按一定配比将高纯硅粉和高纯碳粉混合，在2000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒，再经过破碎、清洗等加工程序，就可以得到满足晶体生长要 碳化硅：第三代半导体核心材料新华网
揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃号湃客
2021年7月5日 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会。 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品 2023年5月4日 中文名 碳化硅 [2] 外文名 silicon carbide [2] 别 名 硅化碳; 一碳化硅 [1] 化学式 SiC [2] 分子量 40096 [2] CAS登录号 409212 [2] EINECS登录号 2069918 [2] 水溶性 不溶 密 度 321 g/cm³ [3] 外 观 黄 碳化硅百度百科
重结晶碳化硅材料的制备与应用研究进展
2017年4月9日 碳化硅 原料组成 两种粒度 级配的碳 化硅，不含 烧结助剂 亚微米级 碳化硅粉，含烧结助 剂 多级配碳 化硅，炭 粉，硅粉 多级配碳 化硅，炭 粉，硅粉 成型方法 注 2023年9月16日 结论 总的来说，高纯度碳化硅粉末由于其优异的物理和化学性质，在许多领域都有广泛的应用。 随着科技的发展和市场需求的增长，我们期待看到更多关于高纯度碳化硅粉末的创新应用。 希望这篇文章能帮助大家更好地理解高纯度碳化硅粉末的重要性和应 最火的粉体之一碳化硅粉 知乎
不同碳源对硅微粉制备碳化硅的影响
2020年7月3日 摘要： 探究了不同碳源对以硅微粉为原料通过碳热还原法制备碳化硅粉体的影响，采用FactSage软件对制备SiC的反应过程进行了热力学计算，得出理论反应起始温度;探究了分别以石油焦、活性炭、石墨粉和蔗糖为还原剂对冶炼效果的影响。 研究表明：以硅微粉为硅源通过碳热还原反应制备碳化硅的 2022年4月24日 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林 分享 摘要： 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先
碳化硅：第三代半导体核心材料新华网
2021年11月10日 碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的关键材料，在航天等极端环境应用领域里更有着不可替代的地位。 碳化硅产业链主要包含粉体、单晶材料 2023年10月27日 二、行业现状及市场空间 1、全球碳化硅器件市场格局由海外巨头主导 海外企业由于占据先发优势，在技术进展与产能规模上具备一定垄断地位。根据数据，市场份额由海外巨头意法半导体、Wolfspeed、罗姆、英飞凌、三菱电机、安森美等厂商垄断，其中最大的碳化硅器件商为意法半导体，是特斯拉 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
碳化硅百度百科
2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 2021年7月3日 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道芯片碳化硅
预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模
2022年7月17日 此外，碳化硅的硬度很大，莫氏硬度为95级，仅次于世界上最硬的金刚石(10级)，具有优良的导热性能。 2、材料性能及分类 在碳化硅出现之前，硅基IGBT统治了高压高电流场景，而硅基MOSFET效率远不如IGBT，仅适用于低压场景。2021年7月5日 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会。 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。 然而受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经渐渐难以满足 5G 基站 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃号湃客
碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯网
2023年4月17日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用 2019年10月9日 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。 半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的研究进展烧结
2021年8月18日 在冷等静压成型结合无压烧结工艺制备复杂结 构碳化硅陶瓷的过程中，碳化硅素坯未经过烧结时强度较低，薄壁结构在加工过程中易开裂；采用无压烧结工艺制备碳化硅陶瓷，近净成型尺寸控制难度很大；烧结后的碳化硅陶瓷硬度高、脆性大，通常采用加工中心 2023年11月27日 本系统对国家市场监督管理总局、国家标准委自2017年1月1日后新发布的国家标准，将在《国家标准批准发布公告》发布后20个工作日内公开标准文本，其中涉及采标的推荐性国家标准的公开，将在遵守国际版权政策前提下进行。国家标准全文阅读标准检索
碳化硅（SIC）的长处和难点详解； 知乎
2023年10月30日 SiC碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件，按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车 2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。 今年发布的“‘十四五’规划和 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
碳化硅粉末制备的研究现状 知乎
2020年12月7日 碳化硅粉末制备的研究现状 风殇 SiC粉末制作方式可以分为机械粉碎法，液相、气相合成法。 机械粉碎法还包括行星球磨机，砂磨机，气流法等。 液相合成法包含沉淀法，溶胶凝胶法等。 气相合成法包含物理、化学气相合成法等。2022年4月11日 立方碳化硅 (βSiC)粉体的主要用途 1 烧结微粉：βSiC在陶瓷、功能陶瓷及耐火材料市场有着非常广阔的应用前景。 普通碳化硅陶瓷在烧结过程中需要2300℃、2400℃、2500℃，加添加剂后也仍需2100℃才可结晶，而βSiC在1800℃即可结晶，并且在βSic晶型转换过程中 立方碳化硅的性质与作用，纳米碳化硅粉的颜色与尺寸。 知乎
碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 知乎
2023年4月17日 PVT 法利用“升华转移再生长”原理生长碳化硅晶体。高纯度碳粉与硅粉按特定比例 混合，将形成的高纯度碳化硅微粉与籽晶分别放置生长炉内坩埚的底部和顶部，温度升高至 2000°C 以上，控制坩埚下部温度略高于顶部，形成温度差，碳化硅微粉升华成气态 Si，SiC2 和 Si2C 后，在籽晶处重新结晶生长 2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
第三代半导体之SiC衬底行业研究：产业瓶颈亟待突破，国内
2021年11月24日 1 第三代半导体，SiC 衬底性能优越 11 SiC新一代电力电子核心材料 碳化硅属于第三代半导体材料，在低功耗、小型化、高压、高频的应用场景有极大优势。 代半导体主要有硅和锗，广泛应用于集成电路等低压、低频、低功率场景。 但是难以 满足 2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制 三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎
碳化硅 ~ 制备难点 知乎
2023年3月13日 晶体制备 由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。 以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难： 温场控制困难、生 2019年9月2日 这种用工业级碳化硅粉的方法来做半导体级的碳化硅粉，声称能做出5N以上的高纯碳化硅粉体，个人表示深刻怀疑。 个人判断未来PVT技术发展的方向，应该是炉体和粉体，以及工艺同步发展，共同突破，才能使得碳化硅晶体生长技术的不断前进。大家都在关注的SiC是什么？碳化硅
【科普】一文带你了解碳化硅的产业链结构及应用领域 知乎
2023年3月31日 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。 因其优越的物理 2019年9月5日 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。 第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓拥有14电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
beta碳化硅（立方碳化硅）与alpha SiC有什么区别？ 今天
2023年5月14日 1在合成这个环节中，Beta SiC的合成温度约1500—1600℃，而Alpha 碳化硅的冶炼温度需要超过2400℃。 由于Beta sic冶炼温度要比Alpha sic低得多，因此它的烧结活性要好，颗粒更容易细化和均化，而且可生产大量纳米、亚微米和微米超细粉体。 外观颜色也有差异。 2 2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会经济科技人民网
碳化硅功率器件之一 知乎
2021年8月24日 目前，碳化硅功率器件市场增长的主要驱动力是碳化硅二极管在功率因素校正（PFC）电源、光伏中的大规模应用。得益于碳化硅MOSFET性能和可靠性的提高，3～5年内碳化硅MOSFET有望在新能源汽车传动系统主逆变器中获得广泛应用，未来五年内碳化硅器件市场增长的主要驱动力将由碳化硅二极管转变为 2023年3月21日 碳化硅是一种化合物，由碳和硅元素组成，化学式为SiC 。它是一种耐高温、硬度高、抗腐蚀、耐磨损的陶瓷材料，也被广泛应用于电子器件和光学器件中。作为陶瓷材料 高硬度：碳化硅具有很高的硬度，约为金刚石的80%，能够很好地抵抗磨损和 碳化硅是什么材料？ 知乎
碳化硅 知乎
2020年4月24日 碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。2022年4月11日 碳化硅是什么？立方碳化硅的性质。 立方碳化硅又名βSiC，属立方晶系（金刚石晶型），其晶体的等轴结构特点决定了βSiC具有比αSiC（黑碳化硅和绿碳化硅）好的自然球度和自锐性，因而在精密研磨方面有更好的磨削和抛光效果，在材料、密封制品和军工制品生产时有更优异的密封特性，使其 绿碳化硅？ 知乎
金刚粉百度百科
而一级品则经过分级、粗碎、细碎、化学处理、干燥与筛分、磁选后就成为各种粒度的黑色或绿色的SiC颗粒。要制成碳化硅微粉 还要经过水选过程；要做成 碳化硅制品 还要经过成型与结烧的过程。 [2] 新手上路 成长任务 编辑入门 编辑规则 本人编辑 我 2023年6月25日 碳化硅衬底经多个工序，PVT 为碳化硅晶体生长的主流方法。碳化硅衬底制备目前主 要以高纯碳粉、硅粉为原料合成碳化硅粉，采用物理气相传输法（PVT 法），在单晶炉中 生长成为晶体，随后经过切片 碳化硅行业专题分析：国内衬底厂商加速布局 腾讯网
华中科技大学材料学院史玉升教授团队在碳化硅粉末床3D
2022年8月25日 为此，华中科技大学材料学院史玉升教授团队提出复杂碳化硅陶瓷构件的激光粉末床熔融、粘结剂喷射 / 光固化复合 3D 打印成套技术，在湖北武汉建立研究和产业化基地，在湖北黄石设立中试基地，从碳化硅陶瓷粉末床 3D 打印的材料、装备、工艺、产业化2021年12月5日 碳化硅产业链目前分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用几个环节。 通常首先采用物理气相传输法（PVT 法）制备碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD 法）等生成外延片，最后制成相关器件。 在整个碳化硅器件产业链中，由 碳化硅产业链最全分析 知乎
中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总 知乎
2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公司等。 国内碳化硅产业起步较晚。 衬底方面，科锐和II 2019年8月28日 这种用工业级碳化硅粉的方法来做半导体级的碳化硅粉，声称能做出5N以上的高纯碳化硅粉体，个人表示深刻怀疑。 个人判断未来PVT技术发展的方向，应该是炉体和粉体，以及工艺同步发展，共同突破，才能使得碳化硅晶体生长技术的不断前进。华为布局第三代半导体，得碳化硅者得天下！ 知乎
陶瓷3D打印——碳化硅烧结技术 知乎
2023年3月28日 陶瓷3D打印——碳化硅烧结技术 碳化硅（SiC）具有优异的高温力学性能、热学性能以及化学稳定性，是一种优异的先进陶瓷材料。 这里我们只讨论作为结构材料的碳化硅，不讨论作为半导体基材的SiC。 SiC 主要有两种晶型，即高温稳定型的六方晶 2021年4月6日 热压烧结 美国Norton公司的Alliegro等人研究发明制备碳化硅陶瓷的热压烧结法。 碳化硅粉 末填入模具中，升温加热过程中保持一定压力，最终实现成型和烧结同时完成的烧结方法。 热压烧结的特点是加热加压同时进行，在合适的压力温度时间工艺条件控制 碳化硅陶瓷9大烧结技术大揭秘要闻资讯中国粉体网
耐火原材料——碳化硅的合成工艺 百家号
2020年7月4日 碳化硅形成的特点是不通过液相，其过程如下：①约从1700℃开始，硅质原料由砂粒变为熔体，进而变为蒸气 (白烟)。 ②SiO2熔体和蒸气钻进碳质材料的气孔，渗入碳的颗粒，发生了生成碳化硅SiC的反应。 ③温度升高到1700~1900℃时，生成了βSiC (磨料 2023年9月16日 结论 总的来说，高纯度碳化硅粉末由于其优异的物理和化学性质，在许多领域都有广泛的应用。 随着科技的发展和市场需求的增长，我们期待看到更多关于高纯度碳化硅粉末的创新应用。 希望这篇文章能帮助大家更好地理解高纯度碳化硅粉末的重要性和应 最火的粉体之一碳化硅粉 知乎
不同碳源对硅微粉制备碳化硅的影响
2020年7月3日 摘要： 探究了不同碳源对以硅微粉为原料通过碳热还原法制备碳化硅粉体的影响，采用FactSage软件对制备SiC的反应过程进行了热力学计算，得出理论反应起始温度;探究了分别以石油焦、活性炭、石墨粉和蔗糖为还原剂对冶炼效果的影响。 研究表明：以硅微粉为硅源通过碳热还原反应制备碳化硅的 2022年4月24日 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林 分享 摘要： 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先
碳化硅：第三代半导体核心材料新华网
2021年11月10日 碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的关键材料，在航天等极端环境应用领域里更有着不可替代的地位。 碳化硅产业链主要包含粉体、单晶材料 2023年10月27日 二、行业现状及市场空间 1、全球碳化硅器件市场格局由海外巨头主导 海外企业由于占据先发优势，在技术进展与产能规模上具备一定垄断地位。根据数据，市场份额由海外巨头意法半导体、Wolfspeed、罗姆、英飞凌、三菱电机、安森美等厂商垄断，其中最大的碳化硅器件商为意法半导体，是特斯拉 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
碳化硅百度百科
2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 2021年7月3日 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道芯片碳化硅
预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模
2022年7月17日 此外，碳化硅的硬度很大，莫氏硬度为95级，仅次于世界上最硬的金刚石(10级)，具有优良的导热性能。 2、材料性能及分类 在碳化硅出现之前，硅基IGBT统治了高压高电流场景，而硅基MOSFET效率远不如IGBT，仅适用于低压场景。2021年7月5日 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会。 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。 然而受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经渐渐难以满足 5G 基站 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃号湃客
碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯网
2023年4月17日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用